非晶硅在高溫晶化時脫膜抑制技術(shù)
低粉塵工藝技術(shù)
沉積薄膜過程電場阻抗系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)控制技術(shù)
大面積均勻性控制技術(shù)
等離子體脈沖氧化法制備超薄氧化硅技術(shù)
“氧化硅+原位摻雜非晶硅”二合一工藝技術(shù)
金辰股份與中科院寧波材料所展開戰(zhàn)略合作,探索出用管式PECVD裝備實現(xiàn)PERTOP光伏電池核心材料“超薄氧化硅+原位摻雜非晶硅”的制備,同時在抑制非晶硅爆膜、防止電場導(dǎo)通、實現(xiàn)高效電池全工藝集成等關(guān)鍵技術(shù)方面取得了重大突破,推出了簡化工藝流程解決方案。
等離子體增強型化學氣象沉積(PECVD)技術(shù)
依靠等離子電場硅烷解離,沉膜速率快,摻雜效率高
定向沉積,繞鍍輕微,成品率高
低溫工藝,腐蝕性附產(chǎn)物少,耗材成本低